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CMP（Chemical Mechanical Planarization）
CMP（Chemical Mechanical Planarization） は積層度の高い半導体には不可欠な工程となっております。当初は層間絶縁膜の平坦化などが主な目的でしたが、近年ではCuダマシンプロセスに代表されるような配線部の形成・平坦化目的の工程が主流となっております。
層間絶縁膜平坦化例
Ｃｕダマシンプロセス例
CMPプロセスの一般化にともない、半導体以外のデバイスでのプロセス要求が高まっております。㈱エム・エー・ティではさまざまなお客様のご要望にあわせ、CMP技術をコアとしさまざまな平坦化技術を提案申し上げます。さらに異種材料膜や小径、異形の基板でのCMPは当社の得意とするところです。
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カテゴリ |
内容 |
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半導体関連 |
・ＩＬＤ、ＳＴＩ、Ｗ、Ｃｕダマシンプロセス ・Ｌｏｗ-ｋ材評価 ・スラリー、ＰＡＤ、コンディショナ等ＣＭＰ消耗部材の開発、評価 ・ＴＳＶ |
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ＳｉＣ |
・高平滑化ＣＭＰ |
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ＭＥＭＳ |
・ＴＳＶ ・絶縁層平坦化、犠牲層平坦化など |
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ＦＰＤ |
・ＩＴＯ平滑化、樹脂膜平坦化など |
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ＰＣＢ |
・配線層、絶縁層平坦化など |
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その他 |
・各種基盤材、酸化膜、金属膜平坦化、平滑化 |
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