株式会社エム・エー・ティ

半導体デバイス、脆性材料、非晶質、各種薄膜、
金属の研磨や薄片化はMATにご相談下さい

テスト加工PROCESS

  1. TOP
  2. テスト加工
  3. 加工サービス

TSVウエハ作製 CMP・Grind技術・加工装置

CMPにてViaトップの平坦化CMP: via top planarization.

Back grindとCMPで裏面側平坦化Grind and CMP: botttom planarization.

Via形成後Back grindとCMPで平坦化Grind and CMP: after via process

成膜後CMPで平坦化CMP: after plating process

表面粗さ向上CMP加工技術

V接合面をCMPにて面粗さ向上CMP: Roughness control before wafer bonding

CMP後洗浄工程Cleaning process before wafer bonding

SiCウエハ研削技術のご提案

SiC ウエハ加工プロセス

①特殊砥石で高面粗度研削加工 ◎As Grind Ra ≦1.0nm
②特殊スラリーで研磨加工   ◎As Polish Ra ≦0.1nm

薄片・薄膜化 加工技術の紹介

MAT薄片・薄膜加工プロセスの特長MAT wafer thinning process

研削・研磨プロセスで、Si,Ge,glass,etcウエハを薄片・薄膜化が可能です。

研削

  • ・Easy to change a grind wheel.
  • ・Mirror finish by High mesh grinding wheel.
      Reducing polishing process time.
  • ・Less than 1μm TTV.

研磨

  • ・High accuracy carrier heads
      Reducing TTV deterioration.
  • ・Step process is available.
     ⇒ High productivity.
     ⇒ Available to make Thin Wf and Thin film

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